在混合集成電路電磁兼容性設(shè)計時首先要做功能性檢驗(yàn)，在方案已確定的電路中檢驗(yàn)電磁兼容性指標(biāo)能否滿足要求，若不滿足就要修改參數(shù)來達(dá)到指標(biāo)，如發(fā)射功率、工作頻率、重新選擇器件等。其次是做防護(hù)性設(shè)計，包括濾波、屏蔽、接地與搭接設(shè)計等。第三是做布局的調(diào)整性設(shè)計，包括總體布局的檢驗(yàn)，元器件及導(dǎo)線的布局檢驗(yàn)等。通常，電路的電磁兼容性設(shè)計包括：工藝和部件的選擇、電路布局及導(dǎo)線的布設(shè)等。混合集成電路有三種制造工藝可供選擇，單層薄膜、多層厚膜和多層共燒厚膜。薄膜工藝能夠生產(chǎn)高密度混合電路所需的小尺寸、低功率和高電流密度的元器件，具有高質(zhì)量、穩(wěn)定、可靠和靈活的特點(diǎn)，適合于高速高頻和高封裝密度的電路中。但只能做單層布線且成本較高。