雷擊浪涌抗擾度試驗在電子設備中的測試設計
更新時間：2025-11-13 點擊次數(shù)：454
雷擊發(fā)生時，當電子設備沿電源線或信號線傳輸時，強電流及其產(chǎn)生的電磁脈沖能夠通過傳導、感應、耦合等方式產(chǎn)生過電壓，形成雷擊浪涌。通常，閃電會感知暴露電源線上的高電壓，這不僅會直接傳輸?shù)皆O備，而且當電源線傳導時，電磁感應的浪涌會與周圍的信號線耦合。這種浪涌會對電子產(chǎn)品造成很大的損害，所以產(chǎn)品需要有一定的浪涌抗干擾能力。
雷擊浪涌抗擾度主要考察電氣和電子設備對開關和雷電瞬變過電壓引起的單極浪涌(沖擊)抗擾程度。
建立一個共同的基準來評估電氣和電子設備在浪涌中的性能。通常，實驗室測試是模擬雷擊干擾對設備的影響。浪涌是電流或電壓沿電源線或信號線傳播的快速升降。
(1)與開關器件(如晶閘管)相關的諧振現(xiàn)象；
(2)局部開關動作或負載變化較小的配電系統(tǒng)；
(3)電力系統(tǒng)的主要切換騷擾，如電容器的切換；
(4)設備組合對接地系統(tǒng)短路、電弧故障等各種系統(tǒng)故障。
(1)直擊雷，它擊中外部電路，注入的大電流通過接地電阻或外部電路阻抗而產(chǎn)生的電壓；
(2)附近耦合到設備組合接地系統(tǒng)的公共路徑時，附近直接對地放電的雷電電流產(chǎn)生感應電壓；
(3)間接雷(即云層之間或云層中的雷擊或附近物體的雷擊產(chǎn)生的電磁場)在建筑物內和外導體上產(chǎn)生感應電壓和電流。
●LPZ0A區(qū)域：該區(qū)域內的所有物體都可能遭到直接雷擊，導致所有雷電電流；區(qū)域內的電磁場強度沒有衰減。
●LPZ0B區(qū)域:區(qū)域內的物體不能被與所選滾球半徑相對應的雷電電流直接雷擊，但區(qū)域內的電磁場強度沒有衰減。
●LPZ1區(qū):本區(qū)所有物體不能直接雷擊，流經(jīng)各種導體的電流比例不能直接雷擊LPZ0B面積較?。桓鶕?jù)屏蔽措施，該區(qū)域的電磁場強度可能會衰減。
●LPZ2后續(xù)防雷區(qū)：當需要進一步降低電流和電磁場強度時，應增加后續(xù)防雷區(qū)，后續(xù)防雷區(qū)的要求應根據(jù)需要保護的環(huán)境區(qū)域選擇。
1.組合波發(fā)生器，耦合/解耦網(wǎng)絡等輔助設備。
2.組合波發(fā)生器分為10/700μs和1.2/50μs兩種，對應不同的端口類型。
3.分類
浪涌抗擾度試驗分為：
(1)浪涌電壓抗擾試驗(開路電壓)
(2)浪涌電流抗擾試驗(短路電流)
注：浪涌（Surge）抗干擾試驗模擬間接雷擊，不考慮直接雷擊或直接雷擊EUT絕緣能力耐高壓試驗。
(1)建議使用10/7000通信網(wǎng)絡和長距離信號電路端口μs沖擊波。常見的電子設備，如常見的電子設備，如RJ45，RS232，XDSL，RS485，安全攝像頭等。
(2)建議使用1個交直流電源端口和短距離信號電路端口1.2/50μs沖擊波。常見的電子設備，如常見的電子設備，如LED照明設備、基站等。
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